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在實(shí)際的氫氧化鈣鹵水阻燃級(jí)氫氧化鈣制備過程中，我們針對(duì)其所應(yīng)用到的物質(zhì)及反應(yīng)條件、設(shè)備等進(jìn)行了詳細(xì)的討論與分析，通過SEM、XRD、TG、BET等手段對(duì)獲取的氫氧化鎂進(jìn)行驗(yàn)證，并結(jié)合相應(yīng)的氫氧化鎂晶體結(jié)構(gòu)、晶體生長理論對(duì)其進(jìn)行探討；通過反應(yīng)設(shè)備的改進(jìn)、水熱過程中晶種法及添加礦化劑等操作來對(duì)超細(xì)阻燃劑氫氧化鎂的制備進(jìn)行研究，其結(jié)果說明：
1、采用氫氧化鈣和氯化鎂為原料制取的純度較高的氫氧化鎂阻燃劑需滿足的條件為：正滴加形式，即氫氧化鈣滴加形式；相對(duì)應(yīng)的氫氧化鈣濃度、氯化鎂濃度分別為2.2mol/L和2.5mol/L；反應(yīng)溫度應(yīng)控制在60℃；反應(yīng)時(shí)間控制在210分鐘以內(nèi)；水熱溫度在200℃；水熱時(shí)間小于8小時(shí)。
2、相比攪拌反應(yīng)裝置，采用定-轉(zhuǎn)子反應(yīng)設(shè)備結(jié)合水熱改性進(jìn)行氫氧化鎂晶體的制取，其厚度可高達(dá)80-150mm，一次粒度在500mm以上，同時(shí)產(chǎn)品純度較高，微觀內(nèi)應(yīng)較小。
3、采用晶種操作可以提高一次粒度，及產(chǎn)品的純度，同時(shí)降低微觀內(nèi)應(yīng)變，其中第四代氫氧化鎂厚度是可達(dá)到100-150mm，純度為97.26%，微觀內(nèi)應(yīng)變?yōu)?.73/103。
4、以氫氧化鈣和氯化鎂為原料，在水熱環(huán)境下提升水熱溶液的堿度，對(duì)氫氧化鎂晶體的生長非常有利，其中在水熱前加入4mol/L氫氧化鉀溶液，可以制取晶體厚度可高達(dá)120mm，一次粒度大于500mm，并且具備純度高、分散性好等優(yōu)勢。
在進(jìn)行以上操作時(shí)，豫暉生產(chǎn)的氫氧化鈣生產(chǎn)線設(shè)備也會(huì)被應(yīng)用到，具體如何操作可參考：http://customindustrialcontrols.com/news